C 22 по 24 сентября в Сан-Франциско проходит Форум Intel для разработчиков (Intel Developer Forum, IDF). Выступая в день открытия мероприятия, генеральный директор и президент корпорации Intel Пол Отеллини (Paul Otellini) продемонстрировал первые образцы микросхем, изготовленных согласно нормам 22-нанометрового технологического процесса. Данная технология позволит не только значительно увеличить производительность компьютерной техники, но и в разы сократит энергопотребление и размеры микросхем.

Население планеты неуклонно растет. И по некоторым подсчетам ее ресурсов недостаточно чтобы создать для всех комфортные условия жизни. Большая часть населения Земли живет за гранью бедности. Если бы все люди на планете жили как Вы, сколько бы им потребовалось планет? Ответить на этот вопрос Вам поможет наш новый тест.

Тест не претендует на 100% объективность, но является очень ярким отражением уровня потребления, или, как говорят на Западе, «экологического следа».Оставьте свой след в нашем форуме.

P.S. Мы продолжаем работать над совершенствованием алгоритма расчета результатов тестирования, и будем сообщать Вам о выходе новых версий теста. Начать тест>>

За 11 секунд до 100 километров в час и до максимальной скорости 135 км/ч с помощью интегрированного 18-киловаттного литий-ионного аккумулятора, который позволяет проехать до 130 км без подзарядки.

Скорость заряда не звучит обнадеживающе, впрочем, как и у других представителей рода электромобилей, но допускается быстрый заряд до 80% емкости на городских электрозаправках. В домашних условиях от розетки 230 вольт, на полный заряд батареи потребуется около 5 часов не без помощи встроенной в крышу солнечной батареи.

Об успешной разработке прототипа динамической памяти, имеющей максимальную в отрасли плотность и быстродействие, сообщила компания IBM. Речь идет о встроенной динамической памяти с произвольным доступом (embedded dynamic random access memory, eDRAM), рассчитанной на производство по нормам 32 нм.

Благодаря применению технологии «кремний на изоляторе» (SOI), память характеризуется не только высокой скоростью, но и малым энергопотреблением. По оценке IBM, превосходство над памятью, изготавливаемой по обычной технологии с применением монолитного кремния, в терминах производительности достигает 30%, а по энергопотреблению — 40%.