FacePla.net

SSD накопители – это, по сути, современная замена жесткому диску в вашем компьютере или ноутбуке. В отличие от привычного жесткого диска в твердотельном SSD накопителе нет подвижных частей, а вместо вращающегося диска используется примерно такая же память как и в обычных картах памяти или USB-накопителях.

Преимущества твердотельных дисков очевидны: отсутствие подвижных частей делает их более ударопрочными, в режиме бездействия они потребляют намного меньше энергии, благодаря прямому доступу к памяти у этих дисков очень низкое время поиска информации и высокая скорость считывания. Основным недостатком этих дисков на сегодняшний день является их высокая стоимость. Кроме того, производительность твердотельных накопителей сильно падает из-за фрагментации диска, которая неизбежно наступает в процессе интенсивной эксплуатации, особенно при частом повторении циклов записи.

Группа японских исследователей во главе с профессором Кен Такеучи разработала усовершенствованную NAND флэш-память для SSD-накопителей, которая работает при напряжении 1В и потребляет на 86% меньше электроэнергии! Также в проекте участвовали специалисты университета Токио и института AIST (Advanced Industrial Science and Technology).

Уменьшение напряжения питания и потребляемой мощности дало исследователям еще одно преимущество, разработанные с помощью такой памяти накопители позволяют увеличить скорость записи на диск (одно из слабых мест флэш-дисков) до 10ГБ в секунду,  что в 6.9 раз быстрее записи на привычный SSD-диск. Достигается это благодаря тому, что уменьшение мощности потребление каждого из чипов позволяет производить параллельную запись одновременно более чем на 100 чипов. Напряжение записи новой ферроэлектрической флеш-памяти было уменьшено с 20В до 6В, а напряжение работы с 3В до 1В, при этом площадь чипа увеличивается не более чем на 1%.

Таким образом, новая разработка, не только снижает потребляемую мощность, но и позволяет решить одну из основных проблем, с которой сталкиваются разработчики SSD – низкая скорость произвольной записи.

Информация о новой разработке были опубликованы в ходе мероприятия под названием IMW 2010 (IEEE International Memory Workshop), которое состоялось в Сеуле с 16 по 19 мая.

Источник: Tech-On!