FacePla.net

Об успешной разработке прототипа динамической памяти, имеющей максимальную в отрасли плотность и быстродействие, сообщила компания IBM. Речь идет о встроенной динамической памяти с произвольным доступом (embedded dynamic random access memory, eDRAM), рассчитанной на производство по нормам 32 нм.

Благодаря применению технологии «кремний на изоляторе» (SOI), память характеризуется не только высокой скоростью, но и малым энергопотреблением. По оценке IBM, превосходство над памятью, изготавливаемой по обычной технологии с применением монолитного кремния, в терминах производительности достигает 30%, а по энергопотреблению — 40%.

Плотность новой памяти существенно выше, чем у статической памяти с произвольным доступом (SRAM), изготавливаемой по нормам 32 и 22 нм. Она сравнима с плотностью памяти типа SRAM, которая была бы изготовлена по нормам 15 нм (на три поколения вперед по сравнению с тем, которое освоено сейчас в серийном производстве). Ячейка новой памяти eDRAM вдвое меньше, чем самая маленькая в мире 22-нанометровая ячейка SRAM, созданная компанией IBM год назад, и вчетверо меньше, чем любая другая ячейка SRAM, изготавливаемая в настоящее время по нормам 32 нм.

Что касается быстродействия, длительность цикла обращения новой памяти не превышает 2 нс. В режиме ожидания она потребляет вчетверо меньше энергии, чем SRAM. Существенно — до 1000 раз — улучшен такой показатель, как устойчивость к случайным сбоям (ошибкам, вызванным электрическими зарядами).

Встроенная память играет ключевую роль в повышении производительности многоядерных процессоров и других интегральных схем. Областями применения eDRAM названы серверы и принтеры, хранилища данных и сетевое оборудование, мобильные и игровые устройства.

Источник: www.ixbt.com